碳材料的制造方法、碳材料以及电子元件的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。

基本信息

专利标题：

碳材料的制造方法、碳材料以及电子元件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101041427A

申请号：

CN200610065567.2

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2006-03-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

梶浦尚志付磊刘云圻

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610065567.2

主分类号：

C01B31/02

IPC分类号：

C01B31/02

法律状态

2014-05-14 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582161810
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利号 : ZL2006100655672
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20120627
终止日期 : 20130322

2012-06-27 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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