陶瓷电子元件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供静电容量的温度特性好、IR温度依赖性低、可靠性高的陶瓷电子元件及其制造方法。本发明提供的陶瓷电子元件，其特征在于具有电介质层，其中，前述电介质层含有组成式BamTiO2+m (m是0.995≤m≤1.010、Ba与Ti的比是0.995≤Ba/Ti≤1.010)表示的主要成分，作为辅助成分的Al氧化物、Si氧化物或R的氧化物(其中R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb与Lu中的至少1种，前述Al的氧化物的至少一部分，和前述Si的氧化物或前述R的氧化物的至少一部分，形成与主要由前述主要成分构成的主相不同的2次相。
基本信息
专利标题 ：
陶瓷电子元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767100A
申请号 ：
CN200510113619.4
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊东和重佐藤阳
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
邰红
优先权 ：
CN200510113619.4
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01B3/12 C04B35/468
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2009-07-29 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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