制造超导陶瓷的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
通过某一方法而生产出一种高Tc的超导陶瓷材料，在该方法中，将一种由合适份量的各化学制品混合成的混合物压实成某一所需要的形状。然后对该被压实的混合物进行烧制，并同时使某一电流按某一预定方向而流过该被压实的混合物。在烧制期间，借助所述电流流过所述材料的过程，提高了分子排列的有序性，因而获得一种提高了的转变温度Tc。
基本信息
专利标题 ：
制造超导陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101381A
申请号 ：
CN88101381.1
公开（公告）日 ：
1988-10-05
申请日 ：
1988-03-23
授权号 ：
CN1025089C
授权日 ：
1994-06-15
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88101381.1
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B12/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1998-05-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-15 ：
授权
1990-07-25 ：
实质审查请求
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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