在磁场作用下制造超导陶瓷的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制造高Tc超导陶瓷材料的方法，该方法是将适量的化学成分混合料压实成规定的形状，然后将压实后的混合料进行烧制，同时在预定方向往压实后的混合料施加磁场。借助于在烧制过程中施加磁场来提高分子排列的整齐性和提高转变温度Tc。
基本信息
专利标题 ：
在磁场作用下制造超导陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101380A
申请号 ：
CN88101380.3
公开（公告）日 ：
1988-10-05
申请日 ：
1988-03-23
授权号 ：
CN1025088C
授权日 ：
1994-06-15
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88101380.3
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1998-05-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-15 ：
授权
1990-07-25 ：
实质审查请求
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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