制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用于制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法，其中彼此分开且相对放置的一对靶在其上具有薄膜形成表面部分，以使一个磁场施加在垂直或平行于该磁场放置的靶之间，由此通过磁场和薄膜形成表面部分的直接接触在薄膜生长过程中使晶体取向。
基本信息
专利标题 ：
制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032885A
申请号 ：
CN88107590.6
公开（公告）日 ：
1989-05-10
申请日 ：
1988-09-24
授权号 ：
CN1019251B
授权日 ：
1992-11-25
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88107590.6
主分类号 ：
H01L39/12
IPC分类号 ：
H01L39/12 H01L39/24 H01B12/00
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法律状态
1998-11-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-09-01 ：
授权
1992-11-25 ：
审定
1991-03-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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