氧化物超导体原料的制造方法、氧化物超导线材的制造方法及超...
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摘要
本发明披露了一种制造氧化物超导体原料的方法，该方法包括以下步骤：(a)在溶液中使含有构成氧化物超导体的原子的材料离子化；(b)在第一气氛中喷射所述溶液以除去溶剂，由此制造含有所述构成所述氧化物超导体的原子的粉末；和(c)在导入有冷却气的第二气氛中，冷却所述粉末；其中所述第二气氛中的二氧化碳浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的二氧化碳浓度要低；所述第二气氛中的氮氧化物浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的氮氧化物浓度要低；以及所述第二气氛中的水蒸气浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的水蒸气浓度要低。所述规定使得所述方法能够提高氧化物超导体的密度和纯度。
基本信息
专利标题 ：
氧化物超导体原料的制造方法、氧化物超导线材的制造方法及超导装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956926A
申请号 ：
CN200680000237.3
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2006-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
绫井直树
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
封新琴
优先权 ：
CN200680000237.3
主分类号 ：
C01G1/00
IPC分类号 ：
C01G1/00 H01B12/10 H01B13/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G1/00
不包含在C01B、C01C、C01D或C01F小类中之金属化合物的一般制备方法
法律状态
2011-06-15 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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