强连接氧化物超导体及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
强连接多晶氧化物超导体制品及其制造方法，该制品包括选自124类和247类氧化物超导体组的氧化物超导体，具有细粒的、高度校直的、沿最长尺寸方向小于50μm的氧化物超导体晶粒。该制品在0.1泰斯拉场中具有至少25％的临界电流密度滞留量。其制备步骤如图所示。
基本信息
专利标题 ：
强连接氧化物超导体及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1080778A
申请号 ：
CN93105314.5
公开（公告）日 ：
1994-01-12
申请日 ：
1993-05-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·J·马瑟尔E·R·波特堡
申请人 ：
美国超导体公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN93105314.5
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 C04B35/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1998-07-15 ：
专利申请的视为撤回
1994-01-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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