制造氧化物超导体及其先质的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
制造含有至少一种碱土金属和铜的氧化物超导体的方法，包括的步骤：在氧分压最高为50乇的气氛中在500℃到1000℃的温度范围内加热构成该氧化物超导体的元素的材料物质；然后在含氧气氛中加热该材料物质。也公开了一种制造混合氧化物粉末(该氧化物超导体的先质)的方法，该方法包括的步骤：在氧分压最高为50的气氛中，在温度范围从500℃到1000℃之下加热该材料物质，并把该材料物质碾成粉束。
基本信息
专利标题 ：
制造氧化物超导体及其先质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032086A
申请号 ：
CN88104870.4
公开（公告）日 ：
1989-03-29
申请日 ：
1988-08-09
授权号 ：
CN1029272C
授权日 ：
1995-07-05
发明人 ：
宇野直树榎本宪嗣田中靖三志贺章二
申请人 ：
古河电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
邹光新
优先权 ：
CN88104870.4
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2002-10-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1995-07-05 ：
授权
1989-04-05 ：
实质审查请求
1989-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1032086A.PDF
PDF下载
2、
CN1029272C.PDF
PDF下载
