氧化物超导体
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物，其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7，其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。
基本信息
专利标题 ：
氧化物超导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1038539A
申请号 ：
CN89103433.1
公开（公告）日 ：
1990-01-03
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1016020B
授权日 ：
1992-03-25
发明人 ：
长谷川晴弘川辺潮樽各良倍深泽德海会田敏之高木一正
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89103433.1
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 C04B35/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1997-07-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-12-16 ：
授权
1992-03-25 ：
审定
1990-01-03 ：
公开
1989-11-29 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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