一种含硼氧化物高温超导体及其制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种超导体。具体地说，涉及一种经改进后的具备高临界温度(Tc)和高稳定性的含B的氧化物高温超导体及其制备方法。本发明为了提供一种具有高临界温度含B氧化物超导体，其组成式(BxCu1-x)(Sr2-zBaz)RCu2Oy的氧化物，式中“R”为Y、la、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb；本发明还提供了制备含B氧化物高温超导体的固相反应方法，该方法制备的超导体临界转变温度可达30至50K，且具有高稳定性，X-射线衍射分析为明显的123相，晶体结构都具有层状特征。
基本信息
专利标题 ：
一种含硼氧化物高温超导体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1086341A
申请号 ：
CN92111618.7
公开（公告）日 ：
1994-05-04
申请日 ：
1992-10-24
授权号 ：
CN1029885C
授权日 ：
1995-09-27
发明人 ：
朱文杰赵忠贤黄玉珍
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市603信箱
代理机构 ：
中国科学院物理研究所专利办公室
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN92111618.7
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1997-12-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-09-27 ：
授权
1994-08-31 ：
实质审查请求的生效
1994-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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