氧化物超导体
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种具有高临界温度Tc的改进了的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，其结构由下式表示：(BaxSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中，X≥0，Z≥0，0.1＜X+Z＜0.3，W＝0。以及0≤Y＜1；或0≤X≤1，0≤Z＜1，0＜W＜1和0≤Y＜1，0≤X+Z＜1。
基本信息
专利标题 ：
氧化物超导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100501A
申请号 ：
CN88100501.0
公开（公告）日 ：
1988-08-10
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1015033B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
长谷川晴弘川辺潮樽谷良倍深泽德海会田敏之高木一正
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
沙捷
优先权 ：
CN88100501.0
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1996-03-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-09-02 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1988-08-10 ：
公开
1988-07-27 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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