氧化物超导体单晶的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用助熔剂制备复合氧化物超导体单晶的方法，所用原材料为La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(M为Sr、Ba或Ca)的复合氧化物多晶或化学计量成分比与所述复合氧化物的组成成分相似的混合物作原材料，所用助熔剂为CuO。
基本信息
专利标题 ：
氧化物超导体单晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1038719A
申请号 ：
CN89103432.3
公开（公告）日 ：
1990-01-10
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1013158B
授权日 ：
1991-07-10
发明人 ：
长谷川晴弘川辺潮樽谷良倍深泽德海会田敏之高木一正
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89103432.3
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 C30B9/00 H01L39/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1997-07-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-03-18 ：
授权
1991-07-10 ：
审定
1990-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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