在磁场中制造超导陶瓷的方法及所用设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高Tc超导陶瓷材料系用下述方法进行制造：将适量化学品的混合料通过溅射、电子束蒸发等方法以薄膜形式淀积在一表面上，然后将淀积的混合料进行退火，使其具超导性能。特别是，在淀积和/或退火的过程中在预定方向上往混合料上加磁场。通过加磁场，提高了分子排列的规整性，并提高了转变温度Tc。
基本信息
专利标题 ：
在磁场中制造超导陶瓷的方法及所用设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031773A
申请号 ：
CN88106462.9
公开（公告）日 ：
1989-03-15
申请日 ：
1988-08-31
授权号 ：
CN1016387B
授权日 ：
1992-04-22
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN88106462.9
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B13/00 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1998-10-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-01-27 ：
授权
1992-04-22 ：
审定
1990-11-07 ：
实质审查请求
1989-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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