高电子迁移率晶体管
授权
摘要
本公开涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管,包括:异质结构;异质结构上的电介质层;在贯穿电介质层的厚度上延伸的栅极电极;源极电极;以及漏极电极。电介质层在栅极电极和漏极电极之间延伸,而在栅极电极和源极电极之间不存在电介质层。以这样的方式,可以在没有由于朝向源极电极延伸的场板所导致的约束下,设计栅极电极和源极电极之间的距离。
基本信息
专利标题 :
高电子迁移率晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922013785.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN211578757U
授权日 :
2020-09-25
发明人 :
F·尤克拉诺
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
董莘
优先权 :
CN201922013785.7
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
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法律状态
2020-09-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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