一种高电子迁移率晶体管及制备方法
授权
摘要
本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、磁性介质层、第二缓冲层和漂移层；在漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属在衬底的正投影均位于磁性介质层在衬底上的正投影内，在此状态下，磁性介质层工作在交变电场中，在射频磁场介入时，会产生交变电场，进而产生磁场，磁性介质层会产生感应电流，进而形成微导电通道，抵消由于trapping效应中捕获载流子引发的器件电流崩塌现象，以此来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高电子迁移率晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451128A
申请号 ：
CN202110726807.3
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
CN113451128B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
林科闯张辉蔡仙清卢益锋谷鹏孙希国王哲力其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超成律师事务所
代理人 ：
孔默
优先权 ：
CN202110726807.3
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20210629
申请日 : 20210629
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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