MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管，包括从下而上依次层叠的硅衬底、AIN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层中设有凹槽，凹槽的槽底和槽壁上设有栅介质层，栅介质层底部对称设有两个栅极，靠近漏极的栅设有栅场板，两个栅极之间设有阻挡层，AlGaN势垒层上表面两侧分别设有源极和漏极，源极上设有源场板，源极和漏极之间设有钝化层。本发明的第二AlGaN势垒层和AlGaN缓冲层具有相同的铝组分，完全耗尽第一AlGaN势垒层与第二AlGaN势垒层之间的极化电荷，且凹槽栅底部正处于第二AlGaN势垒层之中，进而降低因刻蚀因素对器件阈值电压稳定性的影响。
基本信息
专利标题 ：
MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410297A
申请号 ：
CN202110695398.5
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2021-06-23
授权号 ：
CN113410297B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
汪洋苏雪冰杨帅康杨红姣邓志勤
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘卢家滩27号
代理机构 ：
湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN202110695398.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L29/40 H01L29/207 H01L29/06 H01L21/335
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20210623
申请日 : 20210623
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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