提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底上层叠Ni子层与Ni‑AlN合金子层，由于Ni子层的密度较大，提高在Ni子层上生长得到的外延材料的质量。在Ni子层上的Ni‑AlN合金子层与Ni子层的连接效果较好，并且氮化镓材料在Ni‑AlN合金子层上的生长为异质成核再在晶核的基础上进行生长，异质成核的成核功低，掺杂有Al的AlGaN缓冲层与Ni‑AlN合金子层有同质材料，可以快速生长，同时AlGaN缓冲层中也存在异质成核的情况，可以促进AlGaN缓冲层的快速生长并保证AlGaN缓冲层的质量，有效提高最终得到的高电子迁移率晶体管的制备效率。
基本信息
专利标题 ：
提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420757A
申请号 ：
CN202111555200.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋媛媛刘旺平
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111555200.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L21/02 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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