改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。将高电子迁移率晶体管外延片中的高阻层改变为复合高阻层，且复合高阻层包括依次层叠的第一AlGaN子层、AlN子层、InGaN子层、第二AlGaN子层，第一AlGaN子层与第二AlGaN子层均掺杂有碳。降低杂质及二维电子气导致的漏电的可能性。AlN子层与InGaN子层，阻挡了来自衬底的杂质及二维电子气的扩散，能提高沟道层晶体质量，又能降低AlGaN缓冲层漏电，高阻效果及高电子迁移率晶体管的性能与可靠性也得到提高。
基本信息
专利标题 ：
改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420754A
申请号 ：
CN202111488962.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋媛媛刘旺平
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111488962.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/205 H01L29/207 H01L21/02 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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