具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底与AlN层之间增加杂质阻挡层，且杂质阻挡层为TiC膜层。由于TiC中的C原子位于Ti子晶格的所有八面体位置，是一种紧密堆积的间隙化合物，能够很好的阻挡来自衬底中向上扩散的杂质，降低硅衬底上生长的外延层中的杂质，提高硅衬底上生长的外延层的晶体质量，提高高电子迁移率晶体管的质量与可靠性。并且TiC膜层与AlN层具有很好的晶格匹配度，提高AlN层的生长质量以提高在AlN层上生长得到的外延层的整体质量，最终有效提高得到的高电子迁移率晶体管的质量与可靠性。
基本信息
专利标题 ：
具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420756A
申请号 ：
CN202111552842.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋媛媛刘旺平
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111552842.4
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L21/02 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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