高电子迁移率晶体管的制备方法
授权
摘要
本公开提供了一种高电子迁移率晶体管的制备方法，属于半导体技术领域。制备方法包括：在衬底上形成AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层的形成过程中进行图形化处理；在AlGaN缓冲层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层。本公开通过衬底上形成AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层的形成过程中进行图形化处理，AlGaN缓冲层在在进行图形化处理之后会形成凸起部和凹陷部，AlGaN缓冲层在凸起部侧壁上的生长速率比直接在凹陷部上的生长速率快，凹陷部周围的凸起部上的AlGaN缓冲层可以在凹陷部上愈合，衬底与AlGaN缓冲层之间晶格失配产生的应力和缺陷可以在愈合过程中抵消。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112151361A
申请号 ：
CN202010846216.5
公开（公告）日 ：
2020-12-29
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
CN112151361B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王群郭炳磊葛永晖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202010846216.5
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L29/778
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/04
申请日 : 20200821
申请日 : 20200821
2020-12-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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