高电子迁移率晶体管器件及其测试方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种高电子迁移率晶体管器件及测试方法，该器件包括：源极(6)，其与源极测试电极布局(13)连接；漏极(7)，其与漏极测试电极布局(14)连接；栅极(8)，其位于源极(6)和漏极(7)之间，与栅极测试电极布局(15)连接；场板(10)，其位于栅极(8)和漏极(7)之间，与场板测试电极布局(16)连接；其中，源极测试电极布局(13)、漏极测试电极布局(14)、栅极测试电极布局(15)及场板测试电极布局(16)相互之间电气绝缘。该器件可将射频信号和直流信号分开添加偏置，用以提升器件的功率效率特性；另外，场板偏置在不同状态下，对栅下电场具有不同的抑制效果，提高了器件工作电压，进一步实现高功率应用。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管器件及其测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497208A
申请号 ：
CN202011275475.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张昇魏珂陈晓娟刘新宇
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011275475.3
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/40 H01L29/417 H01L29/423 H01L21/66
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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