高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请适用于半导体技术领域，提供了一种高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极半导体结构、栅金属、源极结构和漏极结构；氮化物外延层设置在衬底上，栅极半导体结构、源极结构和漏极结构均设置在氮化物外延层的第一表面上；源极结构和漏极结构分布在栅极半导体结构两侧；栅极半导体结构包括第一半导体层和多个n型半导体，第一半导体层由p型氮化物生成且位于第一表面，多个n型半导体位于第一半导体层和栅金属之间，沿与栅宽方向平行的方向间隔排布。第一半导体层可以分别与多个n型半导体形成带正电的空间电荷区，以调节栅金属与栅极半导体结构的界面电场，从而抑制栅极泄漏电流。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335166A
申请号 ：
CN202011066567.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张栋梁朱剑云王行解峰谢荣华
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
李木燕
优先权 ：
CN202011066567.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/778 H01L29/808
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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