一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构
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摘要
本实用新型公开了一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构，提供了一种新的结构来提高高电子迁移率晶体管的功率输出，本实用新型包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、栅极、源极和漏极，所述Si衬底上外延生长有GaN缓冲层，所述GaN缓冲层上外延生长有AlGaN势垒层，栅极、源极及漏极分别位于AlGaN势垒层上，栅极与源极之间及栅极与漏极之间设置有SiN钝化层，所述SiN钝化层沉积在所述AlGaN势垒层上，所述SiN钝化层中具有张应力。本实用新型具有2DEG密度高，功率输出大等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种提高高电子迁移率晶体管功率输出的器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021148341.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN211980621U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
王阿署曾令艳
申请人 ：
成都大学
申请人地址 ：
四川省成都市外东十陵镇
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张严芳
优先权 ：
CN202021148341.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L29/08
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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