高电子迁移率晶体管
授权
摘要
本实用新型一方面公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：位于半导体衬底上的沟道层；位于沟道层上的势垒层，势垒层与沟道层形成异质结；位于势垒上的源极电极和漏极电极；以及位于势垒层上的栅叠层，该栅叠层位于源极电极和漏极电极之间，其中，该栅叠层包括在势垒层上依次堆叠的P型半导体层、绝缘层和栅极金属。由此能有效降低栅极的漏电流，提高阈值电压，拓展栅极的工作电压范围，整体提高了高电子迁移率晶体管的操作性能。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922466131.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211789027U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
肖金平逯永建闻永祥贾利芳
申请人 ：
杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201922466131.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/423
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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