高电子迁移率晶体管器件
公开
摘要
本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582971A
申请号 ：
CN202210067602.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2017-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
艾曼·谢比卜凯尔·特里尔
申请人 ：
维西埃-硅化物公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202210067602.3
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/78 H01L29/861 H01L21/335 H01L21/8252 H01L29/205 H01L29/423 H01L29/10 H01L29/20 H01L29/207
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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