一种高电子迁移率晶体管及电子装置
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摘要
本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高电子迁移率晶体管及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920556887.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-22
授权号 ：
CN209526089U
授权日 ：
2019-10-22
发明人 ：
陈道坤史波曾丹陈兆同何昌
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路789号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志华
优先权 ：
CN201920556887.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
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法律状态
2019-10-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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