一种高电子迁移率晶体管及制备方法
授权
摘要
本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口；在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触；刻蚀磁性介质层，形成栅极开口；在栅极开口内的漂移层上蒸镀金属，形成栅极金属，磁性介质层会受到射频信号引入的磁场感应影响，因此，在射频信号引入时，磁性介质层会产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高电子迁移率晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451129A
申请号 ：
CN202110729639.3
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
CN113451129B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
林科闯刘胜厚蔡仙清卢益锋谷鹏张辉孙希国其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超成律师事务所
代理人 ：
孔默
优先权 ：
CN202110729639.3
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/28 H01L29/778 H01L29/06 H01L29/45 H01L29/47
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20210629
申请日 : 20210629
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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