具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，该高电子迁移率晶体管包括依次层叠于衬底上的应力缓冲层、n‑AlGaN缓冲层、AlGaN势垒层，以及位于势垒层上的源电极、漏电极和栅电极，栅电极位于所述源电极和漏电极之间，n‑AlGaN缓冲层中设置有AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多层量子阱，且该多层量子阱位于源电极至栅电极下方区域，该多层量子阱的设置使得器件的漏电极上施加高压后，过剩载流子激增，该多层量子阱限制过剩载流子移动，保持过剩载流子在势阱内并进行复合，降低了泄露电流向下传导，从而提高了器件的击穿电压，提升了常关型HEMT器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111613669A
申请号 ：
CN202010489650.2
公开（公告）日 ：
2020-09-01
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN111613669B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
郭志友马建铖夏晓宇张淼夏凡谭秀洋李渊
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
耿鹏
优先权 ：
CN202010489650.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/15 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20200602
申请日 : 20200602
2020-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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