一种高电子迁移率晶体管结构

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摘要

本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管结构，它包括依次形成于衬底上方的成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成有间隔设置的源、漏、栅电极结构，源、漏、栅电极结构之间具有钝化层，栅电极结构由第一栅电极层，设于第一栅电极层上且宽度大于第一栅电极层的第二栅电极层，设于第二栅电极层上且宽度大于第二栅电极层的第三栅电极层组成。它具有如下优点：提高器件增益。

基本信息

专利标题：

一种高电子迁移率晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022345205.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-20

授权号：

CN213546322U

授权日：

2021-06-25

发明人：

林志东蔡仙清刘胜厚张辉孙希国

申请人：

厦门市三安集成电路有限公司

申请人地址：

福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司

代理人：

张松亭

优先权：

CN202022345205.7

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/20 H01L29/06 H01L29/423