一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构
授权
摘要
本实用新型涉及电子设备技术领域，具体涉及一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构，旨在解决现有技术中整个栅极下面全是耗尽，导致在正常工作电压工作时，导通电流不够或者说导通电阻较大的技术问题，其技术要点在于包括基材，所述基材表面覆盖有高电阻层及阻挡层，所述阻挡层表面设置有栅极，所述栅极与所述阻挡层之间设置有p‑GaN层。通过栅极两端下面的p‑GaN层导致对应区域沟道载流子耗尽，保证了器件的常关特性，同时栅极中间区域下方并没有设置p‑GaN层，不会导致中间区域的沟道载流子耗尽，这样在正常工作时，可以保证具有足够的导通电流。
基本信息
专利标题 ：
一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021692299.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212648248U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
无锡先仁智芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层811
代理机构 ：
北京知鲲知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
闫聪彦
优先权 ：
CN202021692299.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/20
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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