一种氮化镓高迁移率晶体管器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓高迁移率晶体管器件，包括衬层、晶体管层、帽层和插层，所述插层为六方氮化硼插层，六方氮化硼插层设置在衬层上，晶体管层设置在六方氮化硼插层上，帽层设置在晶体管层上。衬层为金刚石衬底，在金刚石衬底上通过液相转移二维六方氮化硼材料形成六方氮化硼插层；优选的插层中六方氮化硼的层数为1‑5层。氮化镓高迁移率晶体管器件底部采用六方氮化硼配合金刚石作为衬底，同样有利于热的传递，降低器件工作时发热温度。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓高迁移率晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123139797.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216528894U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
囤冠华赵海明王敬任天令袁松钮应喜单卫平赵清
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴慧
优先权 ：
CN202123139797.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/373 H01L29/778 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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