提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。使用N2O气体对AlN层表面进行等离子体处理。得到带正电荷的氮原子团与氧原子团对AlN层表面进行等离子体处理。带正电荷的氮原子团会填充负极的AlN层中氮空位缺陷，减少缺陷。硅衬底表面的氧化物中分解出带负电荷的氧原子，与N2O等离子体中的氧原子原结合生成氧分子，减少杂质。氢气对AlN层表面进行等离子体处理，氢原子与氧原子也会结合生成H2O并被排出反应腔。有效减少AlN层中会存在的缺陷与杂质，有效提高AlN层的质量以提高最终得到的高电子迁移率晶体管的质量。
基本信息
专利标题 ：
提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512394A
申请号 ：
CN202111574255.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋媛媛刘旺平
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111574255.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/335 C30B25/18 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
