提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法，属于外延生长技术领域。在MOCVD外延设备的安装壳体内包括第一生长反应腔与第一外延托盘的反应腔部件可以保证衬底上外延材料的正常生长。增加的处理腔部件、第一隔离部件与第一转移部件，衬底的处理位于同一MOCVD外延设备，不用在设备与设备之间转移，也不用长距离移动衬底。提高衬底上生长得到的外延层的质量以及外延片整体的制备效率。并且控制第一生长反应腔的最大高度小于外延材料处理腔的最大高度，避免第一生长反应腔内的材料进入外延材料处理腔内污染衬底与外延材料，有效提高得到的外延片的质量。
基本信息
专利标题 ：
提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540946A
申请号 ：
CN202111638656.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈张笑雄王群陶羽宇陆香花龚逸品李鹏
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111638656.2
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B33/04 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/02
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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