气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法
公开
摘要
在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。
基本信息
专利标题 ：
气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293247A
申请号 ：
CN202111338480.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2017-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭久津间保德芦田晃嗣桥本辽
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111338480.9
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B29/36 C30B25/08 C30B25/18 C30B25/20 C30B25/10 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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