用于外延设备的基座以及外延生长设备
授权
摘要
本发明公开一种用于外延设备的基座以及外延生长设备，基座为圆盘状，在基座的上表面开设有凹槽，凹槽包括凹槽底面和凹槽侧壁；基座上开设有多个自基座的底面向上延伸至凹槽侧壁上的气道；气道的进气口开设在基座的底面上，气道的出气口开设在凹槽侧壁上。气流能够从基座底面的进气口进入，并从凹槽侧壁靠近晶圆边缘区域的出气口排出，改变基座上晶圆边缘位置的气流，稀释晶圆边缘区域的反应气体的浓度，使边缘处生长速率降低，从而降低晶圆边缘厚度，改善晶圆边缘的厚度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
用于外延设备的基座以及外延生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111235551A
申请号 ：
CN202010067413.7
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN111235551B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
盛方毓
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202010067413.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/458
申请日 : 20200120
申请日 : 20200120
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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