公开了一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法，所述外延生长温度测量方法包括将待测衬底置于外延设备的腔体内进行外延生长；获取所述待测衬底在所述腔体内外延生长之后的当前对位标记参数；将所述当前对位标记参数与多个预设的标准对位标记参数进行对比，以获取所述腔体内的外延生长温度；其中，不同的标准对位标记参数对应不同的温度，与当前对位标记参数差异最小的标准对位标记参数所对应的温度为所述待测衬底的外延生长温度。本发明通过将当前对位标记的参数与标准对位标记的参数进行对比来测量外延生长温度，以避免温度计测温不能模拟外延设备腔体内部的温度环境、人为测量误差及多次反复测量的问题。