碳化硅外延设备
授权
摘要

本实用新型提供了一种碳化硅外延设备,所述碳化硅外延设备包括壳体、加热器、基座、测距仪以及控制器;所述壳体设有透视结构,所述加热器位于所述壳体内,具有用于吹浮所述基座的气道;所述基座包括可旋转地设置在所述加热器顶部的基座本体以及与所述基座本体连接的检测柱体,所述检测柱体具有待检测面;所述测距仪通过所述透视结构,实时检测所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离;所述控制器与所述测距仪电性连接,用于接收信号并根据所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离的变化量计算所述基座的竖直位移。本实用新型提供的碳化硅外延设备达到对基座进行实时监控的目的。

基本信息
专利标题 :
碳化硅外延设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123346517.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
CN216514256U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
杨龙吴会旺李召永白春杰李伟峰张国良袁肇耿薛宏伟
申请人 :
河北普兴电子科技股份有限公司
申请人地址 :
河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
代理机构 :
石家庄国为知识产权事务所
代理人 :
张贵勤
优先权 :
CN202123346517.0
主分类号 :
C30B25/16
IPC分类号 :
C30B25/16  C30B25/12  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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