低缺陷碳化硅外延材料制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种低缺陷碳化硅外延材料制备方法，涉及碳化硅外延材料的技术领域，向反应室通入氩气和氯化氢与氢气组成混合气体来对碳化硅偏轴衬底进行5～20min的原位刻蚀。氯化氢与氢气的通入使碳化硅偏轴衬底表面Si组分和C组分达到相似的去除速度，从而获得更光滑的衬底表面，氩气的通入使反应室内的温场更均匀的同时，减少了反应室中由氯化氢与氢气刻蚀碳化硅偏轴衬底产生的各项异性，减少了表面刻蚀的不均匀性以及衬底延伸至外延层的表面缺陷，后经缓冲层生长以及外延层生长获得的碳化硅外延材料具有低表面缺陷密度和高均匀性的优点。
基本信息
专利标题 ：
低缺陷碳化硅外延材料制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496728A
申请号 ：
CN202111654707.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘小平王蓉皮孝东李佳君杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202111654707.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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