用于碳化硅外延的加热装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及碳化硅外延生长技术领域,具体是涉及一种用于碳化硅外延的加热装置。包括外延生长反应腔和绕设于外延生长反应腔外的电磁感应线圈;电磁感应线圈包括多个线圈匝,电磁感应线圈的匝间距自线圈端部向线圈中部逐渐递增。本实用新型改进了线圈结构,在保证加热速度的同时,提高了温度场的均匀性,从而改善了碳化硅外延的品质;本实用新型中的线圈呈中空型,内部通入冷却水,石英防护罩内外层间隙中也可以通入冷却水,用于整个电磁感应线圈的冷却,保证了加热线圈在持续高温下的运行可靠性,增强了使用寿命。

基本信息
专利标题 :
用于碳化硅外延的加热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921147157.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-22
授权号 :
CN210765582U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
傅林坚沈文杰周建灿邵鹏飞汤承伟周航潘礼钱
申请人 :
杭州弘晟智能科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
周世骏
优先权 :
CN201921147157.1
主分类号 :
C30B25/10
IPC分类号 :
C30B25/10  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2021-11-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 25/10
登记生效日 : 20211028
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州弘晟智能科技有限公司
变更后权利人 : 浙江求是半导体设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03
变更后权利人 : 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号2幢3层
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 浙江晶盛机电股份有限公司
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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