一种气源输送装置及碳化硅外延生长设备
授权
摘要
本实用新型公开一种气源输送装置，包括隔板和导流板，隔板上设置有至少三个通气单元，每个通气单元包括至少一个气孔，每个气孔包括设置在隔板上表面的第一开口、设置在隔板下表面的第二开口和连通第一开口和第二开口的通道，第二开口的面积大于所述第一开口的面积；导流板上设置有多个导流孔，隔板的下表面与导流板对接，隔板上每个气孔的第二开口连通多个导流孔。本实用新型还公开了一种碳化硅外延生长设备。采用本实用新型可以实现气流分布的均匀性，从而改善产品的生长均匀性，提高碳化硅外延生长的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种气源输送装置及碳化硅外延生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123238211.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216514255U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
吕立平
申请人 ：
希科半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号23栋214室
代理机构 ：
苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾飞
优先权 ：
CN202123238211.3
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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