用于碳化硅外延生长的石墨基座

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摘要

本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接，嵌块嵌设于凹槽内；嵌块与基座本体可拆卸连接；嵌块的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接，清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块和基座本体分开清理。本实用新型提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中不易对该用于碳化硅外延生长的石墨基座造成损伤，延长了使用寿命。

基本信息

专利标题：

用于碳化硅外延生长的石墨基座

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921447188.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-02

授权号：

CN210506587U

授权日：

2020-05-12

发明人：

杨龙赵丽霞吴会旺李伟峰陈秉克

申请人：

河北普兴电子科技股份有限公司

申请人地址：

河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所

代理人：

田甜

优先权：

CN201921447188.9

主分类号：

C30B25/12

IPC分类号：

C30B25/12 C30B29/36