本实用新型提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，该装置包括坩埚和石墨板，坩埚的上方和下方均设置有电子束发射机构，电子束发射机构用于向坩埚发射电子束；石墨板设置在坩埚内部，且沿坩埚的轴向延伸，石墨板上开设有多个安装槽，安装槽用于放置碳化硅衬底。通过坩埚上方和下方设置的电子束发射机构，对坩埚进行加热，电子束冲击坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，由于瞬时高温，碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，避免了氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面表面硅富集严重削减的问题，且多个安装槽的设置，可实现多个衬底同时生产石墨烯，提高了石墨烯生长的质量和数量。