一种用于外延生长的石墨基座结构
授权
摘要
本实用新型涉及外延生长技术领域，具体涉及一种用于外延生长的石墨基座结构，解决了现有技术中取放外延片不方便，造成工作效率低的问题，在石墨基座上设置活动座，待外延片生长完成后可以将整个活动座取下，方便、快捷，而且配备多个活动座，在活动座内提前放置好衬片，待外延片生长完成后将石墨基座上的活动座取下，在将已经放置好衬片的活动座直接放入石墨基座上，以此循环，进一步提高工作效率，而且操作简单、方便、快捷。
基本信息
专利标题 ：
一种用于外延生长的石墨基座结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021209078.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212010922U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
白欣娇申硕袁凤坡赵岩李怀水
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘陶铭
优先权 ：
CN202021209078.1
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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