一种用于外延生长的反应装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及半导体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长的反应装置。包括石英腔、感应加热线圈、反应腔、进气装置；感应加热线圈设于石英腔的正上方与正下方；反应腔设于石英腔内，反应腔内对称设有通过两侧的支撑板相连的上半月加热座与下半月加热座；进气装置包括回填气嘴、第一导流接口与第二导流接口。本实用新型可以大大提高气相沉积后外延层的厚度均匀性。

基本信息

专利标题：

一种用于外延生长的反应装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920632891.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-06

授权号：

CN210341057U

授权日：

2020-04-17

发明人：

沈文杰傅林坚周建灿邵鹏飞汤承伟杨奎周航潘礼钱

申请人：

杭州弘晟智能科技有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司

代理人：

周世骏

优先权：

CN201920632891.0

主分类号：

C23C16/44

IPC分类号：

C23C16/44

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

法律状态

2021-11-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/44
登记生效日 : 20211027
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州弘晟智能科技有限公司
变更后权利人 : 浙江求是半导体设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 312300 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03
变更后权利人 : 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号2幢3层
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 浙江晶盛机电股份有限公司

2020-04-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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