用于氢化物气相外延的均匀生长反应器
授权
摘要

本实用新型公开了用于氢化物气相外延的均匀生长反应器,它包括:石英腔(1);所述石英腔内设有均气环(2),所述均气环的环面上均布有若干通孔(3),所述石英腔的底部开设有两个排气口,所述两个排气口上连通有Y型排气管(4)的两个分管,所述Y型排气管的主管与外界连通。本实用新型的有益效果是石英腔中加装集气环,改善制程气体分布的均匀性;将HVPE的底座单排气口改成对称的双排气口。单尾气管路改成Y型双尾气管路,增大尾气管路的直径,同时双边排气,降低因单边排气造成管路堵塞而触发尾气压力偏高的报警;改善制程气体的均匀性,控制制程气体的流体方向,便于控制晶圆的翘曲度,明显提升晶圆的质量,降低后道减薄工艺的难度。

基本信息
专利标题 :
用于氢化物气相外延的均匀生长反应器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022170723.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
CN213327930U
授权日 :
2021-06-01
发明人 :
王宏亮姚惟梁
申请人 :
镓特半导体科技(铜陵)有限公司
申请人地址 :
安徽省铜陵市经济技术开发区天门山北道3139号
代理机构 :
铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
吴晨亮
优先权 :
CN202022170723.X
主分类号 :
C30B25/14
IPC分类号 :
C30B25/14  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置;反应气流的变换
法律状态
2021-06-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213327930U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332