一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型涉及半导体加工装置技术领域，具体涉及一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统。支撑盘包括本体，所述本体上具有中心，所述本体上设有多圈气体接口，任意一圈所述气体接口到所述中心的距离相等，且绕所述中心均匀分布，各圈所述气体接口距离所述中心的距离不同。本实用新型的支撑盘能够保证产品质量，并能够降低生产成本。

基本信息

专利标题：

一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921863804.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-31

授权号：

CN210826438U

授权日：

2020-06-23

发明人：

潘华东卢和源闵大勇王俊廖新胜

申请人：

苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人：

于妙卓

优先权：

CN201921863804.9

主分类号：

C30B25/12

IPC分类号：

C30B25/12 C30B25/14 C30B29/40 C30B29/48

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B25/00

反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长

C30B25/02

外延层生长

C30B25/12

衬底夹持器或基座

法律状态

2021-03-19 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : C30B 25/12
变更事项 : 专利权人
变更前 : 苏州长光华芯光电技术有限公司
变更后 : 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋
变更后 : 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
变更事项 : 专利权人
变更前 : 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
变更后 : 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

2020-06-23 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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