SiC气相外延装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种SiC气相外延装置，其包括反应腔体及设置在该反应腔体内的衬底托盘，反应腔体对应衬底托盘的两侧位置相应设有进气口和出气口，对应出气口的位置于所述反应腔体上至少设有一个能加快该出气口气体流速的尾端增气口。本实用新型结构设计巧妙，合理加设有尾端增气口，能有效加快出气口气体流速，使得出气口后端管道堵塞情况的发生概率得到有效降低，进而延长了装置的维护周期，同时也减少了反应腔体内部的颗粒数，进而提高了晶片的外延质量和产率；而且还可以通过加热装置来提高出气位置的温度，更利于有效地将反应腔体内部的细小颗粒带离至腔室外部，进一步保证产品质量，另外整体结构简单，易于实现，利于广泛推广应用。

基本信息

专利标题：

SiC气相外延装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021178328.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-23

授权号：

CN212640661U

授权日：

2021-03-02

发明人：

陈蛟杨军伟宋华平简基康王文军陈小龙

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：

刘晓敏

优先权：

CN202021178328.X

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B25/14