一种气相外延系统及其维护操作方法
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摘要

本发明提供一种气相外延系统,包括载盘支撑装置、盖体、反应室和顶盖组件;载盘支撑装置穿过盖体,盖体与载盘支撑装置连接;反应室包括内腔室和外腔室,内腔室设置于外腔室中;顶盖组件位于反应室的一端部,包括进气管路和进气法兰,进气法兰与外腔室通过紧固装置连接,进气管路与内腔室相通以向内腔室供气;内腔室远离顶盖组件的另一端设有开口,盖体用于对内腔室的开口进行气密性开闭,载盘支撑装置可移动地设置于内腔室中;反应室可通过盖体随载盘支撑装置移动,从而实现顶盖组件与反应室之间的闭合。本发明提供的气相外延系统通过引入反应室和载盘支撑装置的双升降结构,可以在不同工况下从不同位置开启腔体,便于设备维护,简化维护流程。

基本信息
专利标题 :
一种气相外延系统及其维护操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113604873A
申请号 :
CN202110845177.1
公开(公告)日 :
2021-11-05
申请日 :
2021-07-26
授权号 :
CN113604873B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
林桂荣
申请人 :
楚赟精工科技(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路665号三层
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
余明伟
优先权 :
CN202110845177.1
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08  C30B25/12  C30B25/10  C30B28/14  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-06-03 :
授权
2021-11-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/08
申请日 : 20210726
2021-11-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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