气相外延方法
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摘要
气相外延方法，具有以下方法步骤：提供第一传导类型的III‑V衬底，在装载温度TB的情况下将III‑V衬底装入到气相外延设施的反应腔中，在导入初始气流的情况下将III‑V衬底从装载温度TB加热到外延温度TE，该初始气流具有承载气体和用于V.主族中的第一元素的第一前体，由导入到反应腔中的外延气流的气相将具有第一传导类型的掺杂剂的掺杂剂浓度的III‑V层沉积在III‑V衬底的表面上，该外延气流具有承载气体、第一前体和用于III.主族的元素的至少一个第二前体，其中，在从装载温度TB加热到外延温度TE期间，将用于第一传导类型的掺杂剂的第三前体添加给初始气流。
基本信息
专利标题 ：
气相外延方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113005521A
申请号 ：
CN202011360647.7
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
CN113005521B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
C·瓦赫特G·凯勒
申请人 ：
阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请人地址 ：
德国海尔伯隆
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
侯鸣慧
优先权 ：
CN202011360647.7
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B25/02 C30B25/16
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/42
申请日 : 20201127
申请日 : 20201127
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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