半导体气相外延的减压方法及系统
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体气相外延的减压方法及系统。方法特征是外延气压在10～500托下进行外延生长，反应后的气体被抽走。系统特征包括出水管、喷水腔组成的水抽气射流循环装置。出水管的喷水嘴在喷水腔内。反应室与排气管间设置了真空压力计、调节截止阀，排气管出气口接入喷水腔。该方法及系统具有降低外延生长温度、抑制自掺杂，提高外延层厚度和电阻率均匀性等效果；并具有气流＞10升/分，压力10～500托能长时间工作，排气量大、耐腐蚀等优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体气相外延的减压方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055258A
申请号 ：
CN91101787.9
公开（公告）日 ：
1991-10-09
申请日 ：
1991-03-19
授权号 ：
CN1021528C
授权日 ：
1993-07-07
发明人 ：
叶必光沈复初陈坚
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
崔勇才
优先权 ：
CN91101787.9
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C30B25/14
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1995-05-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-07-07 ：
授权
1991-10-09 ：
公开
1991-09-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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